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사파이어 성장 방법 에지 정의 필름 공급 성장 (EFG)

사파이어 성장 방법 에지 정의 필름 공급 성장 (EFG)

상기 포토 에지 정의 막 공급 성장 법의 성장 원리를 보여주고있다. 먼저 텅스텐 도가니에 의해 운반 유체에 원료를 넣어. 상기 가열 코일에 의해 가열하고, 박막이 형성되도록,인가 모세관 작용에 의해 금형의 표면에 물질을 부드럽게하기 위해 금형을 이용하여 원료를 용융. 에 따라, 사파이어 시드 유체 반입 및 박막에 접속되어있다. 박막은 사파이어 시드와 동일한 구조를 결정화한다. 씨는 인상 둔화, 그리고 느리게 성장하는 것입니다.

유체 박막 충분한 원료를 제공하고, 필름을 금형에 의해 제한되기 때문이지만, 박막 성장의 원료를 공급하므로,이 방법은 에지 정의 막 공급 성장이라고한다.

용융물로부터 복잡한 형상 결정을 얻을 수를 허용하는 결정 성장 방법의 상세한 설명이 주어진다. 가변 성형 기술은 결정화 동안 이산 변질 단면 구성을 갖는 결정의 성장을 허용한다. 그래서 EFG 방법이다.

용융 / 고체 계면 형상과 횡 방향의 도펀트 편 에지에 정의 필름 급지 성장 열전달 환경의 효과는 열 및 물질 전달을위한 두 차원 모델의 유한 요소 분석에 의해 연구되었다. 열전달 구성은 이전 모델에서 가정 균일 주위에 대응하고 저 -하고, 고속 성장 시스템이 연구되었다. 실리콘 시트의 최대 증가율을 계산하고 일차원 열전달 모델의 유효 범위가 설정된다. 응고 계면의 곡률 결과 인 측면 분리는 두 용질, 붕소 및 알루미늄에 대해 계산된다. 이러한 방식으로, 열전달이 생성물 결정의 균일도에 직접 연결된다.

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