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Sapphire Método Crescimento - Método Kyropoulos

Sapphire Método Crescimento - Método Kyropoulos

Kyropoulos método pode ser curto como método KY. Este método é o primeiro a propor a crescer cristais em 1926.later ligado, ele é amplamente utilizado na produção e pesquisa de halogéneo cristal de tamanho grande, e hidróxido de cristais de carbonato. Em 1960 e 1970, que é melhorada pela antiga União Soviética Musatov para a produção de cristais de safira.

O único cristal crescido pelo método Kyropoulos é sempre forma de uma pêra. O seu diâmetro cadinho de cristal pode crescer para menos do que o diâmetro interior do pequeno tamanho de 10 ~ 30 mm. O princípio é semelhante ao método de Czochralski. Em primeiro lugar, o aquecimento de matéria-prima para a massa fundida de metal fundido ponto de fusão, em seguida, um único cristal de semente (semente de cristal, também conhecida como haste de sementes) para contactar a superfície de metal fundido, começou a crescer sobre o cristal semente e interface sólido-líquido e o metal fundido de um único cristal da mesma semente estrutura cristalina, semear a uma velocidade muito lenta puxado para cima. Depois disso, o cristal de semente será puxar para cima para uma altura e formar um gargalo de cristal, as taxas de metal fundido e solidificação semente interface de estável, a semente não vai puxando para cima, mas nem fazer a rotação. Mas apenas o controlador da velocidade de arrefecimento do cristal único é solidificou gradualmente de cima para baixo, e finalmente solidificado em toda uma monocristalino.

Kyropoulos é o uso de crescimento de cristal de controlo de temperatura, que é a maior diferença Chaishi método puxando cristal só é puxado pescoço cristal, parte do corpo de cristal está a contar com o crescimento da mudança de temperatura, menos interferência puxado para cima e rodado, o melhor controlo do processo e puxando pescoço enquanto se ajusta a potência de aquecimento, o material fundido para atingir a gama de temperaturas de crescimento de cristal mais adequado, de modo a que a taxa de crescimento para atingir a melhor tecnologia, a melhor qualidade e assim crescer um único cristal de safira. As principais características deste método:

1) No decurso de todo o comprimento do cristal, o cristal não é feita cadinho, é ainda na zona quente. Isso permite o controle preciso da sua taxa de resfriamento, reduzindo o estresse térmico;
2) crescimento de cristais, a interface sólido-líquido durante o cerco de fusão. Tal temperatura de fusão da perturbação superfície e distúrbios mecânicos antes de atingir a interface líquido-sólido pode ser reduzido, de modo que a eliminação da massa fundida;
3) Selecção de água macia como o fluido de trabalho no interior do permutador de calor, no que diz respeito à utilização de hélio como o método de permuta de calor do líquido de arrefecimento pode reduzir o custo de experiências;
4) A presença de cristais do processo de mudança de crescimento de cristal e rotativa, susceptíveis a choques mecânicos.

Se houver qualquer outra questão referem-se a cadinho de tungstênio para a fornalha do crescimento de safira, não hesite em contactar-nos através dos seguintes métodos:
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